本文MOS管的原理说明以 增强型NMOS 为例。
了解MOS管的工作原理，能够让我们能更好的运用MOS管，而不是死记怎么用。
为了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基础的 N 型半导体 和 P 型半导体。
N 型半导体
N 型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
P型半导体
P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。 掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高。
3.1 MOS管的制造
MOS管是怎么制造的
以P型半导体为衬底，在一个 低掺杂容度 的 P 型半导体上，通过扩散技术做出来2块 高掺杂容度 的 N 型半导体，引出去分别作为 源级（S） 和 漏极（D）。 P型衬底在 MOS管内部是和 源级（S）相连。 在P型衬底和两个N型半导体 之间加一层 二氧化硅（SiO₂）绝缘膜，然后通过多晶硅引出引脚组成栅极（G）。
组成结构如下图（增强型N沟道为例）：
3.2 MOS管命名由来
我们前面说过MOS管全名为：金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管，为什么会叫这个名字，我们通过上面的组成结构用图来说明：
3.3 MOS管图标由来
在前言部分我们就给出了MOS管的电路图标，那么我们还是通过MOS管 组成结构来说明：
3.4 MOS管原理简析
MOS管结构原理图解：
Vgs电压的强弱决定了反型层的厚薄！
而反型层的厚薄决定了MOS管内阻的大小！
内阻的大小决定了D和S之间经过电流的大小！
3.5 MOS管输出特性曲线
对于N沟道增强型的MOS管，当Vgs >Vgs(th)时，MOS就会开始导通，如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。 在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。 我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。
VGS < VGS(th)时，MOS管处于夹断区(截止区)：
夹断区在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。电流ID为0，管子不工作。
VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管进入恒流区：
恒流区在输出特性曲线中间的位置，电流ID基本不随VDS变化，ID的大小主要决定于电压VGS，所以叫做恒流区，也叫饱和区，当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区（饱和区）。 注：MOS管输出特性的恒流区（饱和区），相当于三极管的放大区。
VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区：
可变电阻区在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。
击穿区:
随着VDS增大，PN结承受太大的反向电压而被击穿。
3.6 MOS管转移特性曲线
根据MOS管的输出特性曲线，可取得到相应的转移特性曲线。
反应了 MOS管的特性，通过 Vgs的电压来控制 ID(导通电流)， 压控流型器件！
为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？
说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。
这个简单点，包括生产难度，实现成本，实现方式等等。对于人类发展而言，肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展，教学也是相同的道理，从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物，然后再步步深入。
究其根本原因，简单概括如下：
我们通过原理分析可以得知，NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动，空穴的迁移率比电子低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于 NMOS，形成空穴沟道比电子沟道更难。
PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。
PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。
所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。PMOS价格贵，厂商少，型号少。（相对而言，其实MOS管发展到现在，普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号）
